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Infineon IPD80R360P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPD80R360P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPD80R360P7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

the Infineon 800V coolmos ? P7 超結 mosfet 系列可完全滿足市場對性能、易用性和性價比的需求,是低功率開關電源應用的理想選擇。它主要側重于回掃應用、包括適配器和充電器、 led 驅動器、音頻開關電源、輔助和工業電源。 與之前的產品以及在典型回掃應用中經過測試的競爭產品相比、此新產品系列可提供高達 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 溫度。它還可通過更低的切換損耗和更好的 dak r ds ( on )產品實現更高的功率密度設計。總體而言、它可幫助客戶節省 bom 成本并減少裝配工作量。

杰出的 fom rds (接通) * 減少了 qg 、 ciss 和 coss
杰出的 dak rds (接通)
杰出的 v ( gs ) th 3V 和最小的 v ( gs ) th 變化 ±0.5 v
集成齊納二極管 esd 保護
完全優化的產品組合


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 13 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
引腳數目 3
最大漏源電阻值 360 mo
最大柵閾值電壓 3.5V
暫無

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