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產(chǎn)品分類

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onsemi NVTFS6H850NTAG MOSFET

訂 貨 號(hào):NVTFS6H850NTAG      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVTFS6H850NTAG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。

體積小巧 (5 x 6 mm)
緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和電容
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
NVMFD5C446NLWF ? 可潤(rùn)側(cè)翼選件
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
支持 PPAP

應(yīng)用
電磁閥驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)/高側(cè)驅(qū)動(dòng)器
汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制器
防抱死制動(dòng)系統(tǒng)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 68 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 WDFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 9.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 107 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 19 nC @ 10 V
寬度 3.15mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 3.15mm
暫無(wú)

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