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產(chǎn)品分類

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Infineon IPD60R170CFD7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPD60R170CFD7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPD60R170CFD7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

the Infineon 600V cool mos CFD7 是英飛凌公司最新的高壓超級(jí)結(jié) mosfet 技術(shù),集成了快速主體二極管,從而完善了 cool mos 7 系列。cool mos CFD7 具有更低的柵極電荷 (qg) 、更好的關(guān)閉行為和比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低 69% 的反向恢復(fù)電荷 (qrr) 以及市場(chǎng)上最低的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 。

超快主體二極管
同類杰出的反向恢復(fù)充電( qrr )
改進(jìn)了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅(jiān)固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同類杰出的 rds (接通) / 封裝
同類杰出的硬換向堅(jiān)固性
用于諧振拓?fù)涞淖罡呖煽啃?br>效率最高、卓越的易用性 / 性能權(quán)衡
實(shí)現(xiàn)更高的功率密度解決方案


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 51 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-TO252
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.17 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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