on ON Semiconductor 30V 功率 mosfet?170 a 的漏極電流和單 n μ a 的通道。它可改善浪涌電流管理并提高系統(tǒng)效率。
低 rds (接通)可有效減少傳導(dǎo)
低電容、有效減少驅(qū)動器
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 170 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 0.00174. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |