ON Semiconductor?FET 系列是全新高電壓超結 MOSFET ，利用電荷平衡技術實現卓越的低接通電阻和更低柵極電荷性能。此 Advanced 技術專為有效減少傳導損耗而設計，提供卓越的切換性能，并可耐受極端 dv/dt 速率。
低有效輸出電容
通過 100% 雪崩測試
低溫運行時系統可靠性更高
無鉛?Ω
符合 RoHS
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 10 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.36. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
