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Infineon P7 超結(jié)（ sj ） mosfet 設(shè)計(jì)出色的性能和易用性、可改善外形和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力、從而應(yīng)對(duì)低功率開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)的典型挑戰(zhàn)。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對(duì)一嵌入式 dak 替代產(chǎn)品、還可在某些設(shè)計(jì)中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使 P7 它在型式、采用型、為其目標(biāo)應(yīng)用提供了完美的安裝。700V 和 800V cool mos P7 經(jīng)優(yōu)化可用于回飛拓?fù)洹?00V cool mos P7 sj mosfet 適用于硬切換拓?fù)洌?fly back 、 pfc 和 llc ）和開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?

易于使用、通過(guò)低振鈴趨勢(shì)進(jìn)行快速設(shè)計(jì) 和用法
?跨 pfc 和 pwm 級(jí)
由于低切換和傳導(dǎo)、簡(jiǎn)化了熱管理
?損失
通過(guò)使用產(chǎn)品 swith 實(shí)現(xiàn)更高的功率密度解決方案
?>采用 2kVESD 、體積更小、制造質(zhì)量更高
?保護(hù)
適用于各種應(yīng)用和功率范圍