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Infineon 20V 的一系列 40V － 0.6m? n 通道汽車認可功率 mosfet ，采用最新的最佳 mosfet 技術(shù)，并采用多種封裝，可滿足各種需求，并實現(xiàn)低至 Optimos5 40V μ m 的 rds （接通）。新的最佳 mosfet 技術(shù)可實現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗 （同類最佳的 rdson 性能）、低切換損耗（改進的切換行為）、改進的二極管恢復(fù)和 emc 行為。此 mosfet 技術(shù)采用最先進的創(chuàng)新封裝、以實現(xiàn)最佳的產(chǎn)品性能和質(zhì)量。為了實現(xiàn)終極設(shè)計靈活性、汽車合格的高電阻器提供各種封裝、以滿足各種需求。Infineon 為客戶提供了電流容量、切換行為、可靠性、封裝尺寸和整體質(zhì)量等方面的穩(wěn)定改進。新開發(fā)的集成半橋是一種創(chuàng)新且經(jīng)濟高效的封裝解決方案、適用于電動機驅(qū)動和主體應(yīng)用。

雙 n 通道邏輯電平 - 增強模式
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度