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N/P 雙溝道 MOSFET，高效性能、高效設(shè)計(jì)，由于 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 組合在一個(gè)便捷的封裝內(nèi)，因此這些互補(bǔ)型 MOSFET 設(shè)備為空間受限的系統(tǒng)提供更大的靈活性。我們的產(chǎn)品系列包含多種電壓和電流額定值，可滿足各種應(yīng)用的要求。

20 V，互補(bǔ)型 N/P 溝道 Trench MOSFET，互補(bǔ)型 N/P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低漏泄電流
Trench MOSFET 技術(shù)
超低閾值電壓 VGS(th) = 0.7 V，適合便攜式應(yīng)用
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：> 1 kV HBM
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
電平移位電路
電池驅(qū)動(dòng)便攜式設(shè)備的電源管理