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訂 貨 號(hào):EMH2604-TL-H 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個(gè)封裝中同時(shí)采用 P 和 N 通道,非常適用于低控制信號(hào),低電池電壓和高負(fù)載電流。N 通道具有內(nèi)部 ESD 保護(hù)功能,可以由低至 1.5V 的邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng),而 P 通道則設(shè)計(jì)用于負(fù)載切換應(yīng)用。P 信道還采用半溝道技術(shù)設(shè)計(jì)。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 3 A,4 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | EMH |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 115 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.3V |
最大功率耗散 | 1.2 W |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -10 V、+10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 1.7mm |
晶體管材料 | Si |
典型柵極電荷@Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
長(zhǎng)度 | 2mm |