射頻晶體管為 LDMOS，適用于范圍為 1 MHz 至 2 GHz 應用中的 L 頻段衛星上行鏈路和 DMOS 功率晶體管。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 24 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | M246 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 318 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -10 V、+15 V |
| 最高工作溫度 | +200 °C |
| 寬度 | 5.97mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 29.08mm |
| 晶體管材料 | Si |
