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Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品，在 4.5V 的柵極源電壓下，漏極源電阻為 112mohm。它的最大柵極源電壓為 8V ，漏極源電壓為 20V。MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 2.5V 和 4.5V。它具有 3.1A 的連續(xù)漏極電流和 1.6W 的最大功耗。 MOSFET 適用于便攜式設(shè)備的負(fù)載開(kāi)關(guān)。它經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC 61249-2-21