DiodesZetex 60V 、 8 引腳 n 通道增強模式 mosfet 設計用于最大程度降低通態電阻、同時保持卓越的切換性能、使其特別適用于高效電源管理應用。其柵 - 源電壓為 20V 、熱功耗為 2.45 w 。
低 rds （接通） - 確保通態損耗最小化
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 16.2 a 、 98 a |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PowerDI5060 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0062 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
