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onsemi NTMYS014N06CLTWG MOSFET

訂 貨 號:NTMYS014N06CLTWG      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NTMYS014N06CLTWG MOSFET
產品詳細信息

工業功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設計用于緊湊型高效設計,包括高熱性能。

體積小巧 (5 x 6 mm),可實現緊湊設計
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
LFPAK4 封裝、工業標準
這些設備無鉛


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 36 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 4
最大漏源電阻值 21.5 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 37 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 9.7 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
寬度 4.25mm
長度 5mm
每片芯片元件數目 1
暫無

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