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onsemi NVMFD6H852NLT1G MOSFET

訂 貨 號:NVMFD6H852NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NVMFD6H852NLT1G MOSFET
產品詳細信息

體積小巧 (5 x 6 mm),可實現緊湊設計
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
NVMFD6H852NLWF ? 可潤側翼選件,用于增強型光學檢驗
支持 PPAP
這些設備無鉛


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 25 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 31.5 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 3.2 W
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 5.1mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數目 2
長度 6.1mm
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
暫無

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