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Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR MOSFET

訂 貨 號(hào):TSM110NB04DCR      品牌:

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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公司基本資料信息







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Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶體管表示“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設(shè)備?!皥?chǎng)效應(yīng)”代表設(shè)備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

低 rds (接通)可有效減少 低柵極電荷、用于快速電源切換 經(jīng)過(guò) 100% uis 和 rg 測(cè)試


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)漏極電流 48 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類(lèi)型 PDFN56
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 11 米Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
晶體管材料
暫無(wú)

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