the Infineon 150V 單 n 通道 hex場 功率 mosfet 。此數字音頻 mosfet 專門設計用于 d 類音頻放大器應用。此 mosfet 利用最新的處理技術實現每個硅區域的低接通電阻。低電感通過減少隨快速電流瞬變產生的電壓振蕩來提高 emi 性能。
最新 mosfet 硅技術
兼容雙面冷卻
與現有表面安裝技術兼容
無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 28 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | Direct東帝汶 信托基金 (m) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大漏源電阻值 | 0.056 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
