ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 功率溝道工藝生產(chǎn)。硅和雙冷卻封裝技術(shù)的進步相結(jié)合,可提供最低通態(tài)電阻,同時通過極低的接點到環(huán)境熱阻保持出色的切換性能。
改進的封裝散熱能力
減少傳導損耗
提高系統(tǒng)效率
包裝材料符合最新要求
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 61 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | DFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.01 Ω |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |