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hex場(chǎng) ? 功率 mosfet 硅技術(shù)的英飛凌設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的 direct 東帝汶技術(shù)封裝，在一個(gè)封裝尺寸僅為 so-8 和 0.7 mm 的封裝中實(shí)現(xiàn)最低的通態(tài)電阻 Advanced Infineon 封裝尺寸。當(dāng)在制造方法和工藝方面遵循應(yīng)用說(shuō)明 a-1035 時(shí)、 direct場(chǎng) 封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。

100% rg 測(cè)試低傳導(dǎo)和切換損耗
超低封裝電感、特別適用于 cpu 內(nèi)核直流 - 直流轉(zhuǎn)換器