Infineon 設計是一 7th 項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，符合超接合（ sj ）原理，并由 Infineon 技術公司率先開發。
出色的 esd 穩定性 >2kV （ hbm ）、適用于所有產品
顯著減少開關和傳導損耗出色的 esd 穩定性 >2kV （ hbm ）、適用于所有產品
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 76 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | Pg 至 247-4-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.037. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
