當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):IPD25N06S4L30ATMA2 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
the Infineon ? T2 功率晶體管的最大漏極源電壓為 60V 、 n 通道、汽車(chē) mosfet 、采用 dak ( to-252 )封裝類型。
N 通道 - 增強(qiáng)模式
符合 aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
100% 雪崩測(cè)試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 25 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.3. Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |