Infineon P-Channel Power MOSFET 提供設(shè)計靈活性和易操作性,以滿足最高性能要求,包括 -12V 系列產(chǎn)品,特別適用于電池保護(hù)、極性反接保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低電壓驅(qū)動應(yīng)用。
P 通道
超低導(dǎo)通電阻 RDS(on)
100% 通過崩潰測試
邏輯電平或正常電平
增強(qiáng)型
無鉛電鍍
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 300 mA |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SOT-23-3 |