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Texas Instruments CSD16301Q2 MOSFET

訂 貨 號:CSD16301Q2      品牌:德州儀器_Texas Instruments

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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Texas Instruments CSD16301Q2 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

MOSFET 晶體管,Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 5 A
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 SON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 34 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.55V
最小柵閾值電壓 0.9V
最大功率耗散 2.3 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -8 V,+10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 2mm
典型柵極電荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V
長度 2mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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