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onsemi NVMJS2D5N06CLTWG MOSFET

訂 貨 號：NVMJS2D5N06CLTWG      品牌：安森美_Onsemi

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onsemi NVMJS2D5N06CLTWG MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

汽車功率 MOSFET 采用 DPAK 封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。支持 mosfet 和 ppap 、適用于需要增強板級可靠性的汽車應用。

體積小巧 (5 x 6 mm)，可實現(xiàn)緊湊設計
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
LFPAK8 封裝、工業(yè)標準
支持 PPAP
這些設備無鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 164 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 3.3 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 113 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 52 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
長度 5mm
寬度 4.9mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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