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onsemi NTMJS1D0N04CTWG MOSFET

訂 貨 號:NTMJS1D0N04CTWG      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NTMJS1D0N04CTWG MOSFET
產品詳細信息

體積小巧 (5 x 6 mm),可實現緊湊設計
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
LFPAK-E 封裝,工業標準
這些器件都是無鉛的


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 300 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 920 μΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 166 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 4.9mm
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +175 °C
長度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 86 nC @ 10 V
暫無

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