Infineon IQE030N06NM5CGATMA1 MOSFET
產品詳細信息
英飛凌 PQFN 3.3x3.3 封裝的 OptiMOSTM 5 60 V 源極底置功能具有 60 V 電壓和 3.0 m Ω 的低導通電阻。它具有多種優勢，如熱能力增強、功率密度大或可改善布局。此外，高效率更、低有源冷卻要求和有效的熱管理布局都是系統級的優勢。
印刷電路板損耗降低
可實現最高功率密度和性能
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
137 A |
| 最大漏源電壓 |
60 V |
| 封裝類型 |
PQFN |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
