當 N 溝道不適合您的設計時,P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設計,我們廣泛的 MOSFET 產品目錄還包括許多 P 溝道設備系列,基于 Nexperia 的領先 Trench 技術。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V,采用中低功率封裝,提供我們熟悉的高效率和高可靠性。
20 V,P 溝道 Trench MOSFET,P 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術。
Trench MOSFET 技術
低閾值電壓
超快切換
增強型功耗能力:Ptot = 980 mW
靜電放電 (ESD) 保護 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
LED 驅動器
電源管理
高側負載開關
開關電路
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續漏極電流 | -5.6 A |
最大漏源電壓 | -20 V |
封裝類型 | SOT23, TO-236AB |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 63 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | -0.95V |
最小柵閾值電壓 | -0.45V |
最大功率耗散 | 4150 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 8 V |
長度 | 3mm |
典型柵極電荷@Vgs | 14.7 nC @ 10 V |
寬度 | 1.4mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數目 | 3 |