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onsemi FDPF2D3N10C MOSFET

訂 貨 號:FDPF2D3N10C      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDPF2D3N10C MOSFET
產品詳細信息

這款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先進 PowerTrench? 工藝生產,該工藝內置了屏蔽柵極技術。此過程已經過優化,可最大程度降低導通電阻,同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。

VGS = 10 V、ID = 222 A 時,最大 RDS(接通)= 2.3 mΩ
功率密度和屏蔽柵極
適用于極低 RDS(接通)的高性能通道技術
高功率密度,帶屏蔽柵極技術
反向恢復電荷 Qrr 極低
低 Vds 尖峰內部阻尼函數。
柵極電荷 QG 低,為 108 nC(典型值)
低切換損耗
出色的電源和電流處理能力
低 Qrr/Trr
軟恢復性能
適用于 ATX/服務器/工作站/電信 PSU/適配器和工業電源的同步整流。
電機驅動器和不間斷電源
微型太陽能變頻器
服務器
電信
計算(ATX、工作臺、適配器、工業電源等)
電動機驅動器
不間斷電源


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 222 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 TO-220F
安裝類型 通孔
引腳數目 3
最大漏源電阻值 2.3 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 45 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 108 nC @ 10 V
長度 10.36mm
每片芯片元件數目 1
寬度 4.9mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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