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產(chǎn)品分類

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onsemi NVTFS6H888NTAG MOSFET

訂 貨 號(hào):NVTFS6H888NTAG      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVTFS6H888NTAG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。

體積小( 3.3 x 3.3 毫米)
低接通電阻
低電容
NVTFS6H850 NWF-Wetable Flanks 產(chǎn)品
支持 PPAP
緊湊設(shè)計(jì)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
適用于汽車應(yīng)用
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
切換電源
最終產(chǎn)品
電磁閥驅(qū)動(dòng)器 – ABS,燃油噴射
電動(dòng)機(jī)控制 - EPS 、雨刷、風(fēng)扇、座椅等
負(fù)載開關(guān) - ECU 、底盤、車身


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 12 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 WDFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 55 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 18 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +175 °C
長(zhǎng)度 3.15mm
典型柵極電荷@Vgs 4.7 nC @ 10 V
寬度 3.15mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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