HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用,可提供帶有卓越強度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。
快速本質(zhì)整流器二極管
低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
低本質(zhì)柵極電阻
工業(yè)標(biāo)準封裝
低封裝電感
高功率密度
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設(shè)備
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 48 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | TO-264 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 140 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 6.5V |
最大功率耗散 | 1 kW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
晶體管材料 | Si |
長度 | 19.96mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 140 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 5.13mm |