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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIZF916DT-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

特點
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
SkyFET? 低側(cè) MOSFET，集成了
肖特基
應(yīng)用
CPU 內(nèi)核功率
計算機(jī)/服務(wù)器外圍設(shè)備
POL
同步降壓轉(zhuǎn)換器
電信直流/直流


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 40（通道 1）A、60（通道 2）A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PowerPAIR 6 x 5
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 6 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.1V
最小柵閾值電壓 2.4V
最大功率耗散 26.6 w 、 60 w
最大柵源電壓 +16 v 、 +20 v 、 -12 v 、 -16 v
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 6mm
晶體管材料 Si
長度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 14.6（通道 1）nC @ 10 V、62（通道 2）nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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