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產(chǎn)品分類
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工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon IPW60R190E6FKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IPW60R190E6FKSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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Infineon IPW60R190E6FKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon CoolMOS?E6/P6 系列功率 MOSFET

Infineon 系列的 CoolMOS?E6 和 P6 系列 MOSFET。 這些高效率設(shè)備可用于多種應(yīng)用，包括功率因數(shù)校正 (PFC)、照明和消費(fèi)設(shè)備以及太陽(yáng)能、電信和服務(wù)器。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 20 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 440 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 151 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 5.21mm
長(zhǎng)度 16.13mm
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 63 nC @ 10 V
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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