此新一代 MOSFET 設計旨在最大程度減少通態電阻（RDS（接通））并保持卓越的切換性能，使其特別適用于高效率電源管理應用。
低接通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
完全無鉛
無鹵素和無銻?！熬G色”設備
應用
背光
直流 - 直流轉換器
電源管理功能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 2.6（（狀態）P 溝道）A，3.3（（穩定）P 溝道）A，3.5（（狀態）N 溝道）A，4（（穩定）N 溝道）A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | TSOT-26 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 160 （ mΩ ） μ a 、 91 （ n 溝道） mΩ μ a |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1 (PChannel) V, 1.2 (NChannel) V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.4 (NChannel) V, 0.4 (PChannel) V |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 最大柵源電壓 | ±12 v 、 ±8 v |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10.5 nC @ 10 V（N 溝道），6.5 nC @ 4.5 V（P 溝道） |
| 寬度 | 1.7mm |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
