SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術實現出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統，以實現小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優化反向恢復性能，可消除額外元件，提高系統可靠性
TJ = 150°C 時為 700 V
超低門電荷（典型值） QG =158 NC ）
低有效輸出電容（典型 COSS (EFF.)=1366 pF ）
支持 PPAP
典型值 RDS (on) =32M Ω
低溫運行時系統可靠性更高
低切換損耗
支持 PPAP
應用
HV DC/DC 轉換器
最終產品
板載充電器
DC/DC 轉換器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 65 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 40 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 446 瓦 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 長度 | 15.87mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.82mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 153nc @ 10v |
