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Infineon IPB60R180P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB60R180P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPB60R180P7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

the Infineon 600V coolmos ? P7 超結( sj ) mosfet 是 600V coolmos ? P6 系列的后繼產品。它繼續在設計過程中兼顧對高效率的需求與易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ? 7th 系列平臺固有的低柵極電荷 (qg ) 確保了其高效率。

≥ 2kV 的 esd 堅固性( hbm 2 類)
集成柵極電阻器 r g
堅固的體二極管
廣泛的產品組合、采用通孔和表面安裝封裝
提供標準級和工業級部件


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 18 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
引腳數目 3
最大漏源電阻值 180 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
暫無

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