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Vishay SI3585CDV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI3585CDV-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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Vishay SI3585CDV-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝雙通道 (P 和 N 通道) MOSFET 是一種新時代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 20V。MOSFET 在 4.5V 的柵極源電壓下具有 58mohm 的漏極源電阻。它具有 3.9A 和 2.1A 的連續(xù)漏極電流。它的最大額定功率為 1.4 W 和 1.3 W。 它經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點和優(yōu)勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應(yīng)用

?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?驅(qū)動器:電動機,電磁閥,繼電器
?用于便攜式設(shè)備的負(fù)載開關(guān)

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經(jīng)過 RG 測試


屬性 數(shù)值
通道類型 N,P
最大連續(xù)漏極電流 3.9 A , 2.1 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 TSOP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 0.058 O , 0.195 O
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.5V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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