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Toshiba TJ15P04M3 MOSFET

訂 貨 號:TJ15P04M3      品牌:東芝_Toshiba

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Toshiba TJ15P04M3 MOSFET
產品詳細信息

低漏-源通態電阻:RDS(接通)= 28 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
低泄漏電流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
增強模式:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.1 mA)
應用:
電機驅動器
電源管理開關


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 15 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 DPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 48 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 0.8V
最大功率耗散 29 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 7.18mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 10 V
長度 6.6mm
暫無

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