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超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級結(jié)點 (SJ) MOSFET這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能，可消除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時為 700 V
超低柵極電荷（典型 Qg = 35 nC）
低有效輸出電容（典型 COSS (EFF.)=467 pF ）
低有效輸出電容（典型 COSS (EFF.)=467 pF ）
優(yōu)化的電容
典型值 RDS (on) =161M Ω
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
計算
消費品
工業(yè)
最終產(chǎn)品
筆記本電腦/臺式電腦/游戲控制臺
電信/服務(wù)器
LED 照明/鎮(zhèn)流器
適配器