此設備是一個 N 通道功率 MOSFET ，基于 MDMESH ? M5 創新垂直工藝技術，并結合了眾所周知的 PowerMESH ?水平布局。由此產生的產品具有極低的接通電阻、特別適用于需要高功率和卓越效率的應用。
極低 RDS （接通）
低柵極電荷和輸入電容
極佳的切換性能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 53 A |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 40 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±25 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.35mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 95 nC @ 10 V |
| 長度 | 10.4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
