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onsemi NVMFD6H840NLT1G MOSFET

訂 貨 號:NVMFD6H840NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFD6H840NLT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

汽車功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引線封裝,設(shè)計用于緊湊型高效設(shè)計,包括高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強型光學(xué)檢驗。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。

體積小巧 (5x6 mm)
緊湊設(shè)計
低 RDS(接通)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和電容
最大限度地減少驅(qū)動器損耗
NVMFS5C410NLWF ? 可潤側(cè)翼選件
增強型光學(xué)檢驗
支持 PPAP
應(yīng)用
反向器電池保護
開關(guān)電源
電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器、半橋等)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 74 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 8.8 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 3.1 W
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 5.1mm
每片芯片元件數(shù)目 2
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 32 nC @ 10 V
長度 6.1mm
暫無

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