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onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT

訂 貨 號：NXH350N100H4Q2F2S1G      品牌：安森美_Onsemi

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onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT
產品詳細信息

ON Semiconductor 三級 NPC Q2 封裝模塊是高密度集成電源模塊，結合了高性能 IGBT 和堅固的反并聯二極管。

極其高效的溝道，采用場截止技術
低切換損耗可減少系統功耗
模塊設計提供高功率密度
低電感布局
低封裝高度
這些設備無鉛，無鹵，無 BFR ，符合 RoHS 標準


屬性 數值
最大連續集電極電流 303 A
最大集電極-發射極電壓 1000 V
最大柵極發射極電壓 ±20V
最大功率耗散 592 W
晶體管數 4
封裝類型 Q2PACK (無鉛 / 無鹵化物)
暫無

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