Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發(fā)射極電壓為 1200 V,總耗散功率為 480 W,最大柵極閾值電壓為 6.5 V。
內(nèi)部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)
柵極-發(fā)射極峰值電壓 + /- 20 V
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓 2.15 V
柵極-發(fā)射極泄漏電流 400 nA
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 140 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
晶體管數(shù) | 6 |
最大功率耗散 | 480 W |