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這些 N 通道邏輯電平 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工藝制造，該工藝經(jīng)過(guò)特別定制，可最大程度地降低電阻，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。這些器件非常適合低電壓和電池供電的應(yīng)用，因?yàn)檫@些應(yīng)用需要低線(xiàn)內(nèi)功耗和快速開(kāi)關(guān)。

最大 RDS (on) =40 M Ω ， VGS =10 V ， ID =4.8A
最大 RDS (on) =51 M Ω ， VGS =4.5 V ， ID =4.3 A
快速切換速度
柵電荷低
高性能溝槽技術(shù)，用于極低的 RDS (on)
高功率和電流處理能力。
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。