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onsemi MUN5313DW1T1G 雙極型晶體管

訂貨號：MUN5313DW1T1G 品牌：安森美_Onsemi

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onsemi MUN5313DW1T1G 雙極型晶體管

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此系列數(shù)字晶體管設計用于替換單個器件及其外部電阻器偏置網(wǎng)絡。偏置電阻晶體管（ BRT ）包含單個晶體管、單片偏置網(wǎng)絡由兩個電阻器、一個串聯(lián)基極電阻器和一個基極發(fā)射器電阻器組成。BRT 通過將這些組件集成到單個設備中來消除這些組件。使用 BRT 可以降低系統(tǒng)成本和板級空間。

簡化電路設計
減少板空間
減少組件計數(shù)
這些設備無鉛、無鹵素/無 BFR

屬性	數(shù)值
晶體管類型	NPN + PNP
最大直流集電極電流	100 mA
最大集電極-發(fā)射極電壓	50 V
封裝類型	SOT-363
安裝類型	表面貼裝
最大功率耗散	385 mW
最大集電極-基極電壓	50 V
引腳數(shù)目	6
每片芯片元件數(shù)目	2

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