達林頓雙極功率晶體管設計用于通用放大器和低速開關應用。烙鐵頭 100 、烙嘴 101 、烙鐵頭 102 ( NPN )、烙鐵頭 105 、烙鐵頭 106 、烙鐵頭 107 ( PNP )是輔助設備。
高直流電流增益 - HFE =2500 (典型值) @ IC = 4.0 MADC
Collector-Emitter 持續電壓 --@30 mADC, VCEo(SUS) =60 VDC (min)-tip100 , tip105 , VCEo(SUS) =80 VDC (min)-tip101 , tip106 , VCEo(SUS) =100 VDC (min)-tip102 , tip107
低收集 - 發射器飽和電壓, VCE (SAT) = 2.0 VDC (最大) @ IC =3.0 ADC , VCE (SAT) =2.5 VDC (最大) @IC =8.0 ADC
具有內置基發射極并聯電阻器的單片結構
TO-220AB 緊湊型封裝
提供無鉛封裝
屬性 | 數值 |
---|---|
晶體管類型 | PNP |
最大集電極-發射極電壓 | 80 V 直流 |
封裝類型 | TO-220 |
安裝類型 | 通孔 |
最大功率耗散 | 80 W |
晶體管配置 | 單 |
最大發射極-基極電壓 | 5 V 直流 |
引腳數目 | 3 |
每片芯片元件數目 | 1 |