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萊智科技日前推出CharFlo-Memory!升級版內(nèi)存特性分析工具軟件,新增功能系針對提升硅制良率。

萊智科技表示,最新推出的CharFlo-Memory!乃是采用以下幾種方式,確保提升硅晶圓上最大區(qū)塊的內(nèi)存IP工藝高良率:

1. 針對個別PVT(工藝,電壓,溫度)狀況下所提取的對象進行內(nèi)存特性化分析,而非僅對模型以內(nèi)插法與外插法粗略演算。

2. 判讀內(nèi)存設(shè)計架構(gòu)與原型之后,執(zhí)行電路層級仿真結(jié)果的可靠度驗證。

3. 經(jīng)由提供針對關(guān)鍵網(wǎng)絡(luò)之寄生電路、電阻的提取,在更短的時間之內(nèi)完成原本已達高效率的布局寄生電路、電阻提取工作。