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Infineon BSP315PH6327XTSA1 MOSFET

訂貨號：BSP315PH6327XTSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

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Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS^? 小信號 P 通道 MOSFET 具有多種功能，可能包括增強模式、連續(xù)漏極電流（約低至 80A）及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應(yīng)用，包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設(shè)備以及汽車工業(yè)。

· 符合 AEC Q101 標準（請參閱數(shù)據(jù)表）
· 無鉛引線電鍍，符合 RoHS 標準

Infineon BSP315P OptiMOS 系列包括 P 溝道功率 MOSFET。這些產(chǎn)品始終滿足電源系統(tǒng)設(shè)計的關(guān)鍵規(guī)格中的高品質(zhì)和性能要求，如通態(tài)電阻和品質(zhì)參數(shù)。

P 溝道
增強型模式
雪崩等級
邏輯水平

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	1.17 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	SOT-223
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3 + Tab
最大漏源電阻值	800 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	2V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	1.8 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs	5.2 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si
寬度	3.5mm
最高工作溫度	+150 °C
長度	6.5mm

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