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IXYS IXFH70N20Q3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IXFH70N20Q3      品牌：IXYS/艾賽思

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
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IXYS IXFH70N20Q3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Q3 系列

HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用，可提供帶有卓越強(qiáng)度的低柵極電荷。 該設(shè)備包含一個(gè)快速本質(zhì)二極管且提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括隔離類型，帶有額定值高達(dá) 1100V 和 70A。 典型應(yīng)用包括直流－直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器、開關(guān)模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

快速本質(zhì)整流器二極管
低 RDS（接通）和 QG（柵極電荷）
低本質(zhì)柵極電阻
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
低封裝電感
高功率密度

MOSFET 晶體管，IXYS

IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 70 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 40 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 6.5V
最大功率耗散 690 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長(zhǎng)度 16.26mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 5.3mm
典型柵極電荷@Vgs 67 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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