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IXYS IXFT18N100Q3 MOSFET

訂 貨 號:IXFT18N100Q3      品牌:IXYS/艾賽思

庫存數量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

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IXYS IXFT18N100Q3 MOSFET
產品詳細信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q3 系列

HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應用,可提供帶有卓越強度的低柵極電荷。 該設備包含一個快速本質二極管且提供各種工業標準封裝,包括隔離類型,帶有額定值高達 1100V 和 70A。 典型應用包括直流-直流轉換器、電池充電器、開關模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。

快速本質整流器二極管
低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
低本質柵極電阻
工業標準封裝
低封裝電感
高功率密度

MOSFET 晶體管,IXYS

IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 18 A
最大漏源電壓 1000 V
封裝類型 TO-268
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 660 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 6.5V
最大功率耗散 830 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數目 1
長度 16.05mm
寬度 14mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 90 nC @ 10 V
暫無
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