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IXYS IXFH60N65X2 MOSFET

訂 貨 號(hào):IXFH60N65X2      品牌:IXYS/艾賽思

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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IXYS IXFH60N65X2 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET , IXYS HiPerFET ? X2 系列

與前幾代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 類 HiPerFET 功率MOSFET 系列顯著降低電阻和柵極電荷,從而降低了損耗,提高了操作效率。這些堅(jiān)固耐用的器件包含增強(qiáng)型高速固有二極管,適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用。X2 類功率MOSFET可采用多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離型,在 650V 時(shí)額定電流高達(dá) 120A。典型應(yīng)用包括直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,交流和直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,開關(guān)模式和諧振模式電源,直流截波器,太陽(yáng)能逆變器,溫度和照明控制。

非常低的 RDS (接通) 和 QG (柵極電荷)
快速固有整流器二極管
低固有柵極電阻
低封裝電感
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

MOSFET 晶體管,IXYS

IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 60 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 52 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 2.7V
最大功率耗散 780 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
典型柵極電荷@Vgs 108 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 16.13mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 21.34mm
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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