Infineon 使 N 溝道衰減模式小信號 MOSFET 晶體管廣泛用于高切換應用。它具有雪崩等級和無鹵。它是 dv/dt 等級，卷軸上有 VGS（th）指示器。
無鉛引線鍍層
最大功耗為 360mW
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 350 mA |
| 最大漏源電壓 | 240 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
